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改良羅氏培養(yǎng)基基礎(chǔ)
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改良羅氏培養(yǎng)基基礎(chǔ)現(xiàn)貨,質(zhì)量保證及其他信息請我公司銷售人員!
  改良羅氏培養(yǎng)基基礎(chǔ)的詳細(xì)資料:

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改良羅氏培養(yǎng)基基礎(chǔ)選擇性培養(yǎng)基
•選擇性培養(yǎng)基均含有營養(yǎng)物(增菌劑)和抑菌劑(選擇劑)。
•標(biāo)本接種于這類培養(yǎng)基后,由于抑菌劑的選擇性抑制作用,使所要分離的病原菌得到較好的繁殖,而其他菌被抑制。
•抑菌劑的種類很多,如孔雀綠、煌綠、檸檬酸鈉、膽鹽、四磺磺酸鈉等,但抑菌劑的加入量需準(zhǔn)確,有的可能水溶液無菌配制冷藏備用,有的又不耐高熱,配制無需高壓滅菌。
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        (Cl3CCO)2O  0D3Z  4124-31-6  對甲苯磺酸酐    p-Toluenesulfonic anhydride     C11H6F3N3O2  1DF3  874816-10-1 
        (Cl2CHCO)2O  0D3Y  4124-30-5  2-溴-4-硝基-1-(三氟甲氧基)苯    2-Bromo-4-nitro-1-(trifluoromethoxy)benzene     C11H6O3  1DB4  66-97-7  磷酸肌酸    N-(Phosphonoamidino)-sarcosine
        (Cl2C6H3O)2P(O)Cl  18J3  14254-41-2  二鍺烷    Digermane     C11H7CLFNO3  1DHA  1150164-88-7  4,7-二氯-8-氟-2-(三氟)喹啉    4,7-dichloro-8-fluoro-2-(trifluoromethyl)quinoline
        (CH4Si)n  1B8J  74056-94-3  三溴乙酰氯    Tribromoacetyl chloride     C11H8ClNOS  1CT0  54001-18-2  亞碲酸    lurous acid
        (CH4Si)n  1B8J  74056-94-3  三溴乙酰氯    Tribromoacetyl chloride     C11H8O4  1DXN  10441-27-7 
        (CH3SO3)2Sn  1ABZ  53408-94-9  磷酸鎂水合物    Magnesium phosphate hydrate     C11H8O5  1CNJ  86788-49-0  替米沙坦    misartan
        (CH3SO3)2Sn  1ABZ  53408-94-9  磷酸鎂水合物    Magnesium phosphate hydrate     C11H9Cl2NO3  00G0  113136-77-9  環(huán)氧氯丙烷    Epichlorohydrin
        (CH3SO3)2Pb  18UN  17570-76-2  二(亞水楊基亞胺酸根-3-丙基)氨基鈷(II)    Bis(salicylideniminato-3-propyl)methylaminocobalt(II)     C11H9ClO2  1D8R  41295-65-2  3-羥基-4'-甲氧基-2-萘甲酰苯胺    3-Hydroxy-4'-methoxy-2-naphthanilide
        (CH3SiHO)5  16W2  6166-86-5  3-氯-7-羥基-4-香豆素    3-Chloro-7-hydroxy-4-methylcoumarin     C11H9ClO3  1DG3  41295-55-0  2,2'-[羰基二(氧)]二苯甲酸二乙酯    Diethyl 2,2'-[carbonylbis(oxy)]bisbenzoate
        (CH3S)2CS  166U  2314-48-9  2,6-二氰基甲苯    2,6-Dicyanotoluene     C11H9NO2S  1DGB  33763-20-1  4,5,6-三氨基嘧啶    4,5,6-Pyrimidinetriamine
        (CH3S)2C=NCH2CO2CH3  1ALK  58091-08-0  (+)-N-苯甲酰谷氨酸    (+)-N-Benzoylglutamic acid     C11H9NO3  1CZU  38061-18-6  亞氯酸鈣    Calcium chlorite
        (CH3S)2C=NCH2CO2CH3  1ALK  58091-08-0  (+)-N-苯甲酰谷氨酸    (+)-N-Benzoylglutamic acid     C128H194N40O28S2  00N8  140661-97-8  叔丁基[4-(二甲氧基)苯氧基]二硅烷    tert-Butyl[4-(dimethoxymethyl)phenoxy]dimethylsilane
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鑒別培養(yǎng)基
•鑒別培養(yǎng)基有一般鑒別培養(yǎng)基和選擇性鑒別培養(yǎng)基之分。
•用于區(qū)別不同微生物種類的培養(yǎng)基稱為一般鑒別培養(yǎng)基,此類培養(yǎng)基中一般不加抑菌劑而只含指示劑。
•在培養(yǎng)基中加入某種抑制劑和指示劑,以抑制某些細(xì)菌生長,而促進(jìn)某種病原菌的繁殖,并使菌落具有一定特征,以助鑒別、分離。這類培養(yǎng)基稱為選擇性鑒別培養(yǎng)基。
厭氧菌培養(yǎng)基
•厭氧菌的分離、培養(yǎng)和鑒別用的培養(yǎng)基,稱為厭氧菌培養(yǎng)基。
•由于厭氧菌自身缺乏有氧代謝*的各種酶,所以厭氧菌在正常的大氣環(huán)境下既不能生長又不能生存。
•通常用心、腦或其他臟器浸液配制厭氧菌培養(yǎng)基,并常需加入硫乙醇酸鈉、半胱氨酸、葡萄糖、肝塊、肉渣、還原鐵、脫脂棉或活性炭等還原劑和除氧材料
改良羅氏培養(yǎng)基基礎(chǔ)厭氧菌培養(yǎng)基
•在液體培養(yǎng)基中還可加入刃天青或美蘭作氧化還原指示劑以觀察培養(yǎng)基的含氧程度。
•使培養(yǎng)基保持較低的氧化還原電勢,以保證厭氧菌生長的良好環(huán)境。也可在培養(yǎng)基表面加液體石蠟。

產(chǎn)品相關(guān)關(guān)鍵字: 改良羅氏培養(yǎng)基基礎(chǔ) Lowenstein-Jensen Medium Base  Modified
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