“相變隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)材料及關(guān)鍵技術(shù)”通過驗(yàn)收
　　12月20日，國(guó)家“十一五”863計(jì)劃新材料領(lǐng)域“相變隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)材料及關(guān)鍵技術(shù)”重點(diǎn)課題通過科技部組織的驗(yàn)收?？萍疾扛呒夹g(shù)研究中心材料處處長(zhǎng)史冬梅，以及清華大學(xué)潘峰教授、南京大學(xué)劉治國(guó)教授、華東師范大學(xué)孫卓教授、中科院上海技術(shù)物理所陸衛(wèi)研究員、吉林師范大學(xué)楊景海教授等驗(yàn)收專家出席了會(huì)議。課題組長(zhǎng)、上海微系統(tǒng)所所長(zhǎng)助理宋志棠研究員，以及課題組主要成員共計(jì)20余人參加了此次會(huì)議。

　　會(huì)議由驗(yàn)收專家組組長(zhǎng)潘峰主持。會(huì)上，項(xiàng)目負(fù)責(zé)人宋志棠研究員向與會(huì)領(lǐng)導(dǎo)、專家匯報(bào)了課題完成情況。驗(yàn)收專家組在認(rèn)真審查相關(guān)技術(shù)文件和資料、全面聽取課題負(fù)責(zé)人匯報(bào)并進(jìn)行質(zhì)詢、觀摩由項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)自主研制的8Mb相變存儲(chǔ)器試驗(yàn)芯片音頻演示系統(tǒng)的基礎(chǔ)上，對(duì)課題完成情況給予了高度評(píng)價(jià)。認(rèn)為課題組圍繞課題任務(wù)書規(guī)定的預(yù)期目標(biāo)，開展了大量研究工作，獲得了一大批重要科研成果，包括篩選出具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的SiSbTe新型相變材料并進(jìn)入工程化驗(yàn)證，建立了8英寸相變存儲(chǔ)器平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)與標(biāo)準(zhǔn)180-130nm CMOS工藝無縫對(duì)接，在該平臺(tái)上研制出全功能8Mb PCRAM芯片，芯片成品率達(dá)到99%以上。

　　經(jīng)認(rèn)真討論，驗(yàn)收專家組一致認(rèn)為該課題圓滿完成了合同任務(wù)書規(guī)定的任務(wù)目標(biāo)與考核指標(biāo)，同意課題通過驗(yàn)收。驗(yàn)收會(huì)開始前，參加驗(yàn)收會(huì)的專家領(lǐng)導(dǎo)還現(xiàn)場(chǎng)考察了12英寸相變存儲(chǔ)器工藝平臺(tái)。